会議風景

 

 

    

 参加者の声

・「今回、シリコンMOSFETの作製と電気特性の測定を行いました。作業としては、普段有機デバイスの作製や測定をするときと同じものが多かったですが、細かい扱い方や条件の違いなどから、有機デバイスと無機デバイスの違いを実感できました。最後はFET特性がきちんと測れて良かった です。本格的なクリーンルームでの作業も勉強になりました。参加者が少人数ということもあってお互いに打ち解けやすい雰囲気で、懇親会では同世代の異分野の学生と交流を深めることができました。」（学生(M2)　専門：有機電子素子）

・「今ワークショップでは、北大の量子集積エレクトロニクス研究センターにてMOSFETデバイスを作製し た後、実際にプローバーを用いて電気特性評価を行いました。私は有機合成を専門としているため、分野がかなり異なり、慣れない操作ばかりでしたが、とても良い経験が出来ました。また、電子科学研究所と触媒化学研究センターを見学した際には、様々な最新の装置を見ること ができて良かったです。」(学生(D2)　専門：有機化学合成)

開催日・場所・プログラム

日時：平成２７年６月１日（月）１３：００〜６月２日（火）１５：３０
場所：北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

スケジュール
６月１日（月）
13：00-13：10　概要説明
13：10-13：30　量子集積センター　見学
13：30-18：00　デバイスプロセス研修 4.5h
18：00-18：30　休憩
18：30-20：00　異分野討論会（次回企画等）

６月２日（火）
09：00-12：30　デバイスプロセス研修 3.5h
12：30-13：30　昼食
13：30-15：00　電子科学研究所、触媒化学研究センター　見学
15：00-15：30　反省会、終了後解散

＊初日 13：00に量子集積エレクトロニクス研究センター玄関にお越しください。（工学部裏手）
http://www.hokudai.ac.jp/introduction/campus/campusmap/150520sapporo_map.pdf

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プロセス研修（シリコンMOSFET作製プロセス）実施内容
初日
Al蒸着　　　　2 h
リソグラフィ　2 h
２日目
Alエッチング　0.5 h
レジスト除去　0.5 h
熱処理　　　　1 h
デバイス測定　1.5 h

 

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お問い合わせは、領域事務局(office@molarch.jp)までお願いします。

文責： 竹田 亮子